晶圓從單晶硅棒拉制完成經歷了切片、研磨、拋光等加工工序，中間接觸了拋光劑、研磨料等各種化學試劑，同時還受到了微粒的污染，因此最后需要將這些雜質清除干凈。

　　當分子型雜質吸附在硅片表面時，化學清洗首先清洗這些有機雜質，可用四氯化碳、三氯乙烯、甲苯、丙酮、無水乙醇等有機溶劑，也可采用濃硫酸碳化、硝酸或堿性過氧化氫洗液氧化等方法去除。

　　離子型和原子型吸附的雜質用鹽酸、硫酸、硝酸或堿性過氧化氫洗液以清洗掉離子型吸附雜質，然后再用王水或酸性過氧化氫清洗掉殘存的離子型雜質及原子型雜質，最后用高純水將硅片沖洗干凈。

　　綜上，清洗硅片的一般步驟為：去分子型雜質→去離子型雜質→去原子型雜質→高純水清洗。

化學清洗機：采用氫氟酸、鹽酸、硝酸等酸性藥劑處理，或者一些堿性清洗液處理產品，設備的槽體、機架材質選用耐腐蝕性的材料，整體設計需要考慮廢氣、廢水排放的特殊清洗機

主要應用在半導體材料前端的處理，光伏產品的前期處理，以及一些其他行業(yè)，需要用到酸堿清洗工藝的，都可以算在此列

適用于半導體產品酸洗、超聲波清洗、二流體清洗，干燥